SK Hynix 無錫廠房復工 標準型DRAM價格仍持續上揚

　　去年 9 月 SK Hynix 無錫廠房發生火災引起標準型 DRAM 供應短缺，雖然現時該廠房已經進入復工階段，但據業者表示目前實際開出的產能仍然有限，而且不時傳出良率欠佳的問題，因此標準型 DRAM 供應未能回復早前水平。

　　加上 Samsung 及 Micron 將產品鎖定在高毛利的 Mobile DRAM 或繪圖 DRAM ，據分析師預期，標準型 DRAM 現貨價目前仍會緩步上升，更可能於本週再創新高。

　　按現時價格走勢所見，由於一線 DRAM 廠已大幅減少 2Gb DDR3 產出，但現時大陸市場白牌平板需求卻是有增無減，因此 2Gb DDR3 原廠顆粒現貨價持續上升，最高達到 3 美元；另一方面主流的 4Gb DDR3 目前仍是供不應求，現貨價回升到約 4.3 美元，更有望短期內突破 4.3 美元創下歷史新高。

　　據記憶體業者指出，現時三大 DRAM 廠對於標準型 DRAM 投片量持續下降，而 OEM 廠手中庫存量則低於 4 周安全水平，儘管 SK Hynix 無錫廠房進入復工階段，但產能仍未見到大量開出，面對中國農曆新年旺季前需要大量回補庫存，令標準型 DRAM 價格被推高。

　　此外，也有模組業者指出無錫廠產出日前出現良率不穩定問題，加上 SK Hynix 需要以 Mobile DRAM 及繪圖 DRAM 優先供貨給遊戲機廠及智慧型手機廠，標準型 DRAM 投片量有限，因此目前標準型 DRAM 仍是供不應求，整體而言，在目前形勢未有明顯改變下，標準型 DRAM 價格仍會緩步上升。

DRAM合約價連續五個月上升

　　由於 DRAM 供應商持續將產能轉移至非標準型記憶體，在供應量不明朗因素下，為了避免後續缺貨的可能性，不少 PC-OEM 廠商正試圖在第二季傳統淡季拉高庫存水位，令到 DRAM 合約價於四月份持續上揚，更已是連續五個月上升，其中 DDR3 4GB 記憶體模組價格至今漲幅超過 70% 。

　　據市場調查機構 DRAMeXchange 8 日發表針對 DRAM 四月下旬合約價走勢報告指出， DDR3 4GB 四月份最高價格達 27 美元水平，比較三月漲幅高達約 13% ，均價為 26.5 美元，同時成交量表現理想， 2GB 模組狀況同樣受供應減少而令價格上升，價格較上月漲幅達 9% ，最高來到 15.5 美元水平。

　　據了解， DRAM 合約價已是連續五個月上升，主要是由去年標準型記憶體顆粒嚴重供過於求，使得價格持續下跌令廠商出現虧損，為使 DRAM 價格回復健康，廠商於去年底開始廠商把標準型記憶體產能轉移至非標準型產品，令標準型記憶體供應量減少，買方為免缺貨，因此最月拉高庫存水位，使得價格持續回升。

就 DRAM 產業而言，第二季度受到標準型記憶體漲價的態勢，將進一步牽動行動式記憶體以及伺服器記憶體的漲幅，而且更可望成為 2013 年平均銷售單價漲幅最顯著的季度。不過在現貨市場方面，第二季 PC 市場仍屬清淡的市況，新一代 Intel 的晶片組 Haswell 預計將會在六月份推出，而且預期初期對終端消費者產生的刺激力道有限，另一方面 TrendForce 分析預估第二季 NB 出貨成長僅約 4.1% ，有別於傳統往年動輒約 10% 的出貨季度增長。因此，雖然標準型記憶體的漲幅走勢未見減弱，但在真正需求端刺激有限下，下半年標準型記憶體的價格走勢仍有待進一步觀察。

　　隨著智慧型手機及平板電腦熱賣，全球各 DRAM 廠商均積極轉進行動式記憶體生產，成長率預期較去年比較下可達 80% ，而且今年第二季更將首度超越標準型記憶體產出量，產出市佔達到 32% ，年底更有機會達到 35% ，躍升全球記憶體產出市佔第一的位置。

　　標準型記憶體方面，雖然價格自去年底起漲至今逾二倍，讓廠商可回到全面獲利的時代，但由於毛利率仍不如行動式記憶體，因此暫時可見一線 DRAM 大廠仍然會降低標準型記憶體投片量，積極轉進行動式記憶體方針仍然不變。

Samsung推出全新速4GB LPDDR3 DRAM

　　Samsung 為針對手持式行動裝置市場，提供高速低功耗應用，宣佈推出業界第一款超高速 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，採用 20nm 製程，聲稱可媲美個人電腦中使用的標準型 DRAM 的性能水平，可提升超過 30% 效能表現，同時減低 20% 功耗。

　　全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒採用 20nm 製程生產，數據傳輸速度高達 2,133 Mbps ，比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒提供的 800Mbps ，其數據傳輸速度為兩倍以上，一秒同時傳輸容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片，實現流暢而且無縫顯示全高清視頻，特別適用於現時 5 吋或更大尺寸屏幕的手持式行動裝置使用。

除了擁有比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒更高速的傳輸效能外，全新 20nm 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒也擁有更低功耗的表示，如以 30nm LPDDR3 顆粒比較，其功耗可減少約 20% ，令手持式行動裝置電池續航力可以更加耐久。

　　此外，由於採用 20nm 製程關係，令記憶體顆粒高度繼續縮減，據 Samsung 表示，採用全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，設備製造商可以達成單一封裝高度僅 0.8mm 的封裝下，把 4 個 Samsung 新晶片組成一個 2GB 容量的單一封裝。

　　據早前市場調查機構 Gartner 指出，預測 DRAM 市場在 2013 年增長達到 29.6 億美元，當中超過 10 億美元的銷售額為行動式記憶體，佔整體 DRAM 市場約 35% 。針對目前情況，據 Samsung 指出，預期今年稍後時間會增加生產 20nm 行動式 DRAM ，以鞏固該市場的競爭力。

預期4GB模組將回升至20美元水平

　　市場調查機構 DRAMeXchange 6 日發表針對 2012 年第四季標準型記憶體結算報告，指出由於一線 DRAM 大廠積極轉進毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，並降低標準型記憶體的產出，在供應減少下，第四季 DRAM 市場價格出現漲價走勢，與上季相較成長近 7% ，各 DRAM 廠的營收普遍呈現上漲格局。同時， 2013 年 DRAM 模組價格得到持續提升，預期全球 PC DRAM 的價格有機會回到 20 美元水位，預期短期內超低價 DRAM 模組在市場上已成過去。

　　其中，據報告顯示，第四季 DDR3 1600Mhz 2Gb 顆粒價格從 0.82 美元上漲至 1.05 美元，漲幅逼近 30% ，合約市場方面，在一線 PC-OEM 廠庫存水位偏低下， DRAM 廠亦在第四季逐步將合約價調升，目前為止，較大幅度的升幅將會於今年首季便可看到。

　　而在 2013 年 1 月下旬方面，一線 DRAM 大廠標準型記憶體出貨持續短少， PC-OEM 大廠目前首要任務需要穩定貨源，而減低價格考量的因素，讓得 DRAM 模組價格得到持續提升機會。其中， 1 月下旬 4GB 模組價格最高達到 18 美元，漲幅逼近 3% ，整月份的 4GB 均價反彈 11.11% 。

　　同 時，分析亦觀察到 PC-OEM 大廠為了穩定後續的供貨貨源，轉而向模組廠尋求供給的比例也逐步升高，由於 Samsung 和 SK Hynix 已明確表示在沒有獲利的情況之下，將大幅減少後續標準型記憶體供貨的數量， Eplida 和 Micron 合併後將轉換產品配置，台系廠更是逐步的退出 DRAM 產業，導致供貨選擇的來源大幅縮減，使得 PC-OEM 廠在採購上出現難度，預期價格將會持續提升。

　　踏入 2013 年首季， PC DRAM 合約價一月份上漲幅度已超過 10% ，全球 PC DRAM 的價格有機會回到 20 美元水位之上，但單機搭載容量的成長激增將不再復見雖然 2013 年業界皆普遍看淡對 PC 出貨量的預估，在 DRAM 售價回升的影響下，單機搭載容量可能會持續壓抑。

　　另一方面，綜合全球 DRAM 廠自有品牌記憶體營收排名觀察，目前以 Samsung 和 SK Hynix 仍然佔據整體市場約 67% 市佔率，較上季的 64.2% 繼續往上攀升，韓系廠商仍積極將行動式記憶體比重持續調整，並佔韓系廠商總產出比例達 28% 。

　　日系廠 Eplida 目前佔得 14.1% 整體市佔率成為市場第三廠商，除了行動式記憶體比重提昇外，現貨 DRAM 價格的大幅成長亦是讓營收躍進的主要關鍵。 Micron 半導體市佔約 10.5% ，預期當兩者正式併合後，其整體市佔佔有率將會直逼韓系廠商 SK Hynix ，形成三強鼎立。

DRAM合約價再度出現跌勢

　　踏入 12 月份，市場調查機構針對剛過去的 11 月下旬發表 DRAM 合約價格總結報告，發現合約價在 11 月下旬再度呈現下跌走勢，其中 4GB 均價跌幅約 3.17% ， 2GB 均價正式跌破 9 美元價位，下跌約 2.78% 。預期明年 PC 出貨僅能維持平穩，因此 DRAM 年成長率將會持續下降，標準型記憶體價格將會待至下半年才回歸健康。

　　據報導指出，在剛過去的 11 月下旬中， DRAM 合約價格維持短暫持平後再度呈現下跌走勢，其中 4GB 合約均價為 15.25 美元，較上旬下跌約 3.17% ， 2GB 均價正式跌破 9 美元價位，達到低至 8.75 美元，跌幅約 2.78% ，但已比較年中時每月 1 美元甚至 2 美元的跌幅收斂。

　　另一方面，據了解，雖然 4GB 合約低價仍守在 15 美元水平，但預期第四季 PC 出貨量將會下跌， DRAM 廠庫存壓力不低，因此部份 DRAM 廠已採取特別交易來議定價格，令價格近月再度下跌，但由於「特別交易」附帶條件是大量取貨，庫存水位仍高的 PC-OEM 廠未必接受，使價格未有一下子大幅下挫。

　　由於未來總體經濟狀況仍未明朗，而傳統 PC 亦將繼續受智慧型手機與平板電腦市場擠壓，今年 PC 出貨再度下修至負 6.2% ，預期來年 PC 出貨預估僅能維持零成長， DRAM 廠已進一步啟動縮減資本支出機制，同時把製程轉換時程放緩，其中明年標準型記憶體產出量將跌破 32% ，標準型記憶體在市場規模逐漸縮小。

　　但隨著 DRAM 廠減產效應發酵與降低標準型記憶體產出，並積極轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，整體市場的底部價格正逐步浮現，加上全球 DRAM 市場將進入三強鼎立的寡佔，並分別由 Samsung 、 SK Hynix 和 Micron 集團佔去大部份市場份額，若各廠可維持產出平衡，市場將有機會回到供需平衡的狀況， TrendForce 預估標準型記憶體價格有機會於明年上半年緩步復甦，並於下半年回歸健康勢態。

　　在行動式記憶體方面，隨著智慧型手機與平板電腦熱賣，各 DRAM 大廠紛紛轉進行動式記憶體市場，其中韓系 DRAM 廠更達 70% 以上的佔有率；伺服器市場因雲端興起，預估明年單機伺服器記憶體搭載量將較去年成長 30% ，單條記憶體上 16GB 甚至 32GB 將成伺服器市場主流規格。

十月份DRAM合約價格再度下跌

　　市場調查機構 DRAMeXchange 30 日發表最新 DRAM 市況報告，指出由於全球 DRAM 市場持續供過於求，加上 PC 整體出貨量未如理想，十月份 4GB 記憶體模組合約價跌破 16 美元，而且走勢將持續往 15 美元關卡價位前進，價格已跌近現金成本，令廠商進一步面臨成本結構考驗，減產之勢已不能怠慢。

　　隨著台系廠商茂德已正式退出市場，瑞晶和力晶已先後於 8 、 9 月開始啟動減產，南科與華亞科亦正式宣佈於 10 起減產 20% ，加上日系廠商 Elpida 也於 8 月啟動減產機制，是次減少主要以標準型記憶體為主，另一方面雖然韓系廠商暫未有減產劃，但調整生產比重已減少標準型 DRAM 的產出量而轉至毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，因此 10 月份全球 DRAM 產能已減少至 1050k ，從今年高點的 1130K 計算減產約 80K 片，幅度約 7.1% ，將有助於標準型 DRAM 價格的止跌反彈。

　　目前， Samsung 早已把標準型記憶體產出比重降至約 30% ，明年目標為調整至 25% 間， SK Hynix 雖然今年標準型記憶體產出仍佔整體產出約 50% ，但明年已計劃將持續下修至 40% 以下，進一步縮減標準型記憶體比例。同時， Micron 和 Elpida 整併可望於明年上半年完成，按照其原始規劃，未來廣島廠將單純以生產行動式記憶體為主，標準型記憶體的由子公司瑞晶負責生產，華亞科主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產出規模也逐漸縮小。

　　此外，台系廠商力晶將於今年度逐步淡出記憶體生產，力圖轉型至代工為主的業務型態，其標準型記憶體僅在 P3 生產，並且自九月起投片規模僅剩原產能一半，預期未來將持續縮減產能。

　　供應方面標準型記憶體產出規模逾 50% 的市況已不復見，而且預期明年更下調至僅 35% ，由於減產幅度預計進一步擴大，明年 DRAM 市場僅 21% 的成長率將會創出自 2009 年金融風暴後新低，因此預期廠商將會大幅降低元產出以避免大規模供過於求。

　　隨著 DRAM 價格空間已至跌無可跌狀況，短時間內現貨價格有機會帶動一波價格的上漲走勢，目前各 DRAM 廠已有降低投資幅度、放慢製程轉進時程的共識，冀望於 2013 年的首季過後， DRAM 供需狀態逐步回到健康水位，讓價格可回復提升以及幫助總產值復甦。

DRAM產業2013年走向非標準型記憶體

　　隨著 PC 市場縮減，另一方面智慧型手機及平板電腦興起，加上雲端運算需求增加， DRAM 廠商為提升營利，標準型記憶體產出比例呈現逐年減少，並將產能轉移至毛利較高的伺服器記憶體及行動式記憶體。據市場調查機構 DRAMeXchange 表示， 2013 年伺服 器記憶體及行動式記憶體總產出比重將超過四成，高過於標準型記憶體的位元產出量，正式成為供應主流。

　　目前 PC DRAM 供過於求嚴重，價格自今年七月起持續下探，甚至已跌過成本價，雖然 DRAM 產業已經逐漸往寡佔市場發展，但為了維持產能利用率，仍以 生產標準型記憶體為多數，因此價格難以回升，令廠商營利受到影響。相反，伺服器記憶體因雲端市場需要大增，而行動記憶體又受惠智慧型手機及平板電腦興起，使其需要上升，同時由於供應不如標準型記憶體般過量，毛利也較高，因此不少一線廠商已紛紛提升 伺服器記憶體及行動式記憶體產能比重。

雲端應用帶動伺服器記憶體需求

　　目前，三星半導體於伺服器記憶體中穩佔 60% 市佔率，韓商 SK Hynix 與美系廠商美光半導體分別於市佔率中排行二、三位，不少廠商也正積極準備加入市場，預期未來供應將會大幅提升。自今年下半年起，受惠於 4Gb 顆粒逐漸轉趨成熟， 8GB 模組正式成為供貨主流，底前可望最低達到約美金 40 美元水位，同時單機 DRAM 搭載量將可望由今年的 43GB 成長至明年的 50GB 以， 16GB 記憶體模組的生產數量亦逐步提高，預計 2013 下半年將正式成為出貨主流， 16GB 的售價可望降至美金 60 至 70 美元之間。

　　雖然伺服器記憶體設計與封裝型態與 PC DRAM 接近，價格走勢與標準型記憶體通也同樣有關連，漲跌勢態將與標準型記憶體接近，但變化較為緩慢，儘管目前標準型記憶體已接近無利可圖的形勢，但預期 2013 下半年 16GB 伺服器記憶體較標準型記憶體有更多獲利空間，因此部份記憶體廠商已將伺服器記憶體設定為最優先的產品類別，預估將在 2013 年陸續轉至 20nm ，進一步改善成本結構，以期提升更大獲利空間。

　　TrendForce 預估，由於成本結構的差異過大，在短時間內將帶動另 一波更大幅度的減產潮，標準型記憶體至 2013 年預估更會進一步的下滑至不到產出的四成，位元出貨與今年相較反而呈現負成長，是 PC DRAM 生產數量首度衰退的一年。

LPDDR3 將是行動式記憶體展重點

　　行動式記體方面，同樣以三星半導體最為強大，市佔率也超過 60% ， SK Hynix 、 Elpida 、 Micron 等競爭較為激烈，同時亦造成平均銷售單價跌幅加劇， 2012 年平均以每季至少 10% 的速度迅速下滑，但由於 2013 年智慧型手機出貨量預估達到 830 萬台以上的 30% 增長，加上單機記憶體搭載量提升，平板電腦以及 Ultrabook 新機種也將持續上市，可帶動行動式記憶體需求增加，因此對廠商來說仍是重點戰場。

　　同時，預期 2013 年的行動式記憶體市場亦有多元化的走勢，其中 LPDDR3 將是各家產品發展的重點，其運作時脈比 LPDDR2 進一步提升，而且功耗差距不多，預期除了智慧型手機以及平板電腦以外，高端 Ultrabook 也會廣泛採用，因此其發展將迅速成長，預估 2014 年將成主流。

　　除了 LPDDR3 外，行動式記憶體與 eMMC 相結合的 eMCP 封裝由於相對具有成本優勢，亦有效的縮短客戶的驗證時程，因而受不少客戶青睞，預估在行動式記憶體的比例將大幅提升，至 2013 年年底預計將有 40% 以上的佔有率，將成為各家 DRAM 廠競逐的重點產品之一。按目前兩大韓系大廠在 eMCP 技術中最為成熟，加上寡佔市場型態下其價格下跌應不顯著，但預期明年起更多廠商加入後， 2013 年下半年度的跌價將會加速。

　　綜合整個記憶體市場勢態發展，據 DRAMeXchange 估計， 2013 年 DRAM 產業版圖將會恆者越大，由其在製程技術擁有優勢的 DRAM 廠較其他競爭對手領先超過二個世代，三星半導體將奪去近二分之一的產業營收，不過在三星早前宣佈將 2013 年總資本支出將會降低一半下，可見對後市態度甚為保守，但分析也指出三星態度轉趨保守對長期產業的均衡有穩定效果，後續 DRAM 產業的營收與獲利與否，將視乎剩餘產能的退出或轉型，以及 DRAM 產業的版圖在進入 EUV 時代後才可明朗。

DRAM價格持續下滑再跌5.8%

　　由於全球行動電腦出貨動力疲弱，加上 Win8 也難以大幅帶動整體 PC 出貨，令 DRAM 價格持續下跌，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，九月下旬的合約價格仍持續下跌， 4GB 模組比較九月上旬跌幅為 5.8% ，成交價從 $17.25 美元下跌至 $16.25 美元， 2GB 模組也下跌 5.1% 至 $9.25 美元水平，據分析預期，假如大減產規模仍未出現，後續合約價格仍難以避免持續下跌。

　　據 DRAMeXchange 表示， DRAM 整體平均銷售單價的下滑速度從七月底開始加快，主要是由於全球經濟不景氣影響需求，令需求端旺季不旺，預期 2012 年 PC 出貨將有機會出現 -3.9% 的負增長，而且不少消費習慣已改為手持式產品，令 PC 出貨需求下跌，加上供應商產能調節失衡令供過於求的態勢遲遲未有明顯改善，使得 DRAM 價格自七月底開始持續下跌，尤其 4GB 模組已經取代 2GB 成為市場主流規格，降價幅度亦更加明顯。

　　由 4GB 模組作為計算基礎， 2Gb 顆粒價格已滑落至最低 $0.84 美元，價格與現貨價處於相同水位，但從現貨市場買氣疲弱，各模組廠的備貨狀況並不積極，合約與現貨價格同樣反映出議價的困難度，交易量銳減下廠商庫存水位仍處於高水平狀態，而且短期內也難以看到明顯的買貨潮。

　　同時， PC DRAM 整年出貨的比例首度降到 50% 以下，已不再是市場出貨的主流產品，但即使廠商已漸轉往非標準型 DRAM 產出下， DRAM 仍無法解決供過於求問題， PC DRAM 仍出現嚴重供過於求，目前的生產計劃調配已無法回復供需均衡，甚至需要部份 DRAM 產業真正永久性的退出標準型記憶體生產，才能使整個 DRAM 供應回復正軌。

　　TrendForce 調查也指出，九月份下旬的 4GB 模組價格已經逼近去年的最低點，以現今主流製程 30nm 作為成本估計，每一個 DRAM 廠商的總成本都高於售價，標準型記憶體虧損的窘境仍未顯改善，短期之內除非有更大規模的減產計畫，否則從供需狀況做觀察，價格將持續向下滑落。

　　展望來年， TrendForce 認為 PC DRAM 佔總產出的比例將會更進一步的下降，預期將由今年的 45% 下滑至 35% ，除了需求面 PC 出貨量成長仍有限外，即使 Ultrabook 出貨比例將會增高，但受硬體設計上厚度限制，單機記憶體搭載容量也難以提升，同時市場缺乏帶動成長的刺激因素，供應端為了降低成本，將僅逐漸把 2Gb 顆粒生產轉向 4Gb ，製程轉進將受到記憶體廠有計畫的樽節資本支出而放慢腳步。

　　整體而言， 2013 年 PC DRAM 位元成長將首度呈現負值，預計將會有更龐大的產能陸續退出該領域的生產，明年行動式記憶體的位元成長可維持高度擴張，預計增長幅度可達 48% ，更是記憶體廠商的必爭之地，若結合伺服器記憶體的出貨量做計算， 2013 年雲端概念的記憶體出貨將達到總產出的 46% 以上，正式成為主流應用。

DRAM供過於求 預期合約價今年難以再向上突破

<br />
儘管市場原預期憑藉下半年旺季可望帶動 DRAM 出貨表現，但據市場調查機構 DRAMeXchange
指出，由於目前需求端持續不振，甚至沒有返校熱潮跡象，加上廠商方面未有任何減產計劃，預期短期內 DRAM 供過於求難以改善，亦間接使 DRAM
合約價格呈現本年度首次下跌， 7 月上旬 4GB 均價較上月下跌 4.71% 。<br />
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據 DRAMeXchange 早前針對 DRAM 作出的調查指出，目前 PC OEM 廠商就 DRAM 庫存水位偏高，而現時終端市場景氣不佳，為避免
DRAM 後續跌價損失，降低庫存成為了廠商首要任務，因此 DRAM 市況交投淡靜，亦令 DRAM 合約價格呈現本年度首次下跌。其中， 4GB 均價為 20.25
美元，最低見 20 美元，較上月下跌 4.71% ， 2GB 均價則維持在 11.25 美元。<br />
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同時， DRAMeXchange 亦表示，現時 DRAM
市場持續充斥著清淡的氛圍，而原先冀望下半年旺季效應能帶動需求動能，但基於目前需求端持續不振，生產端又沒有任何減產計劃，預期價格持續下跌的可能性偏高，廠商僅希望
4GB 能於 7 月守在 20 美元價位，但若以此價格做成本計算的基礎，即使是目前市佔率最高的廠商也無法獲利，因此減產潮不難再次出現。<br />
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在需求端遲遲未現新契機以前，供需平衡的景況只能倚靠來供應端對樽節生產計劃的產能調整，以維持市場穩定，但目前除了標準型記憶體外，伺服器記憶體與行動式記憶體皆呈現跌價趨勢，供過於求壎態嚴重，因此除了減產以外，還需透過其他市場調節機制才能緩解跌幅。<br />
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另一方面， Micron 早前於 7 月初正式宣佈以約 7 億 5 千萬美元的總金額收購 Elpida 100% 股權，並撥出 17.5 億美元於
2019 年前委託 Elpida 提供代工服務，預期結合 Elpida 廣島廠約每月 100K 的產能、瑞晶每月約 75K 、以及原先綜合上華亞科的 200K
，加上力晶也與 Micron 積極洽談 20nm 製程及以下的授權用於標準型記憶體的生產，預計 Micron 每月產能可以達到 400K 。<br />
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預期， Micron 整併後雖然冀望能夠有某部分 DRAM 產能退出改為 NAND 的生產，讓長期供過於求的 DRAM
市場可望出現改變，但當中因牽涉大筆資金的調度，加上 NAND 今年後勢亦不如預期般樂觀，因此估計整個產能轉換的時程極可能會向後遞延， DRAM
供過於求情況短期內難以改善。按 2012 年 PC 年出貨量 3.3% 成長作預估， PC DRAM 的供過於求比例約超過 15%
，若各家的產能維持原有的滿載狀況，即使出現返校潮以及傳統旺季帶動，亦難以再向上突破。<br />
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<img alt="Corsair Dominator Platinum" border="0" class="ReMoozElement ReMoozBoxZoomIn" rel="/database/images/2012/07/source/13125117771839903440.jpg" src="http://www.hkepc.com/database/images/2012/07/640x480/13125117771839903440.jpg" /></div>

DRAM六月上旬合約價終於能如期開出

早前受到買賣雙方在 DRAM 價格商議爭持，經過連續兩個月也於接近月末才開出合約價後，六月上旬合約價終於能如期開出，雖然兩家韓系大廠仍試圖提高報價，但在季底壓力下，最終仍只能與 PC-OEM 廠商達成持平價格合約。預期六月下旬甚至七月合約價格仍有機會持平或出現小幅下跌，但隨著第三季 Windows8 正式上市，加上新款 Ultrabook 機種推出，可望帶動 DRAM 價格上漲。

由於早前買方為減低虧損而力圖提升 DRAM 價格，但賣方則希望以更低成本備貨，雙方議價爭持不下，令連續兩個月也於接近月末才開出合約價，不過六月上旬合約價格終於能如期開出，其中 4GB 均價為 21.25 美元， 2GB 均價為 11.25 美元，走勢持平。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，隨著 DRAM 產業低迷已久，市場均期盼記憶體價格能夠從低處回升，但由於 PC-OEM 對於全球景氣的高度不確定性因素影響而在備貨庫存上顯得甚為謹慎，因此六月上旬買氣仍然軟弱，第二季終端市場未能牽動 PC 出貨，而 PC-OEM 廠 DRAM 庫存水位已拉至 5-6 週甚至高達 2-3 個月，因此預期六月下旬甚至七月合約價格走勢攀升可能性極低。

其中，韓國兩大廠 Samsung 和 Hynix 於六月份雖然與主要 PC-OEM 價格協商較前兩個月積極，但價格與上半旬相較並無漲幅，尤幸兩家廠商在產能比重上早已轉向非 PC-DRAM ，因此即使 PC-OEM 廠商備貨並不積極，但仍沒有降價求售，但反觀其餘 DRAM 廠成交狀況並不明朗，因此預期六月下旬合約價維持持平甚至於下跌的可能性高。

但隨著後市將期待 Windows8 於第三季正式上市，加上配合多家廠商將於下半年陸續推出旗下新款 Ultrabook 機種，對下半年帶動 DRAM 價格上漲仍有一定契機。