市況疲弱 NAND Flash合約價僅持平

　　DRAM 價格近月持續強勢上升，反觀旬 NAND Flash 合約價則在 4 月下旬受到淡季效應而表現僅為穩持平，僅低容量 32Gb MLC 顆粒因供應減少而出現小幅上漲，但漲幅也開始收斂，據市場調查機構 DRAMeXchange 預估，第二季在整體終端需求普遍轉弱的情形下，高容量 MLC 晶片價格將繼續軟弱。

　　據 DRAMeXchange 指出，在傳統銷售淡季中，雖然市場期待中國五一假期可拉抬整體市場買氣，但由於 4 月上旬過後通路市場客戶對後市採取保守觀望態度，備貨動能不如預期，即使 NAND Flash 原廠透過緊縮通路市場供貨，以減緩淡季效應衝擊，但在隨身碟與記憶卡需求持續衰退下，通路端客戶對 NAND Flash 價格更為嚴謹，接受高價訂貨意欲大大減低，使得 4 月下旬 NAND Flash 合約價未有上升，僅維持平穩走勢。

不過，由於廠商將產能轉往 64Gb 以上的高容量顆粒，令低容量 32Gb MLC 顆粒供應減少，因此 32Gb MLC 仍可維持小漲 5-6% ，但在目前供給端減少的幅度仍大於需求端的下滑，在供不應求的情況下雖能維持漲勢，但漲幅也開始收斂。

　　展望未來， 據分析認為，大多數智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 的新產品拉貨動會在 6 月中下旬啟動， 6 月之前銷售表現將會疲軟，隨身碟與記憶卡市場的傳統銷售旺季也是在下半年才會出現，預期整體 NAND Flash 產業在 5 、 6 月份並無明顯起色。

　　另一方面， NAND Flash 原廠在第二季加速轉進 20nm 等級製程， 64Gb MLC 以上的高容量顆粒供給量快速增加，在整體終端需求普遍轉弱的情形下，高容量 MLC 晶片價格將開始走軟，相反低容量 MLC 與 TLC 的產出持續減少，價格將會較為平穩。

DRAM合約價連續五個月上升

　　由於 DRAM 供應商持續將產能轉移至非標準型記憶體，在供應量不明朗因素下，為了避免後續缺貨的可能性，不少 PC-OEM 廠商正試圖在第二季傳統淡季拉高庫存水位，令到 DRAM 合約價於四月份持續上揚，更已是連續五個月上升，其中 DDR3 4GB 記憶體模組價格至今漲幅超過 70% 。

　　據市場調查機構 DRAMeXchange 8 日發表針對 DRAM 四月下旬合約價走勢報告指出， DDR3 4GB 四月份最高價格達 27 美元水平，比較三月漲幅高達約 13% ，均價為 26.5 美元，同時成交量表現理想， 2GB 模組狀況同樣受供應減少而令價格上升，價格較上月漲幅達 9% ，最高來到 15.5 美元水平。

　　據了解， DRAM 合約價已是連續五個月上升，主要是由去年標準型記憶體顆粒嚴重供過於求，使得價格持續下跌令廠商出現虧損，為使 DRAM 價格回復健康，廠商於去年底開始廠商把標準型記憶體產能轉移至非標準型產品，令標準型記憶體供應量減少，買方為免缺貨，因此最月拉高庫存水位，使得價格持續回升。

就 DRAM 產業而言，第二季度受到標準型記憶體漲價的態勢，將進一步牽動行動式記憶體以及伺服器記憶體的漲幅，而且更可望成為 2013 年平均銷售單價漲幅最顯著的季度。不過在現貨市場方面，第二季 PC 市場仍屬清淡的市況，新一代 Intel 的晶片組 Haswell 預計將會在六月份推出，而且預期初期對終端消費者產生的刺激力道有限，另一方面 TrendForce 分析預估第二季 NB 出貨成長僅約 4.1% ，有別於傳統往年動輒約 10% 的出貨季度增長。因此，雖然標準型記憶體的漲幅走勢未見減弱，但在真正需求端刺激有限下，下半年標準型記憶體的價格走勢仍有待進一步觀察。

　　隨著智慧型手機及平板電腦熱賣，全球各 DRAM 廠商均積極轉進行動式記憶體生產，成長率預期較去年比較下可達 80% ，而且今年第二季更將首度超越標準型記憶體產出量，產出市佔達到 32% ，年底更有機會達到 35% ，躍升全球記憶體產出市佔第一的位置。

　　標準型記憶體方面，雖然價格自去年底起漲至今逾二倍，讓廠商可回到全面獲利的時代，但由於毛利率仍不如行動式記憶體，因此暫時可見一線 DRAM 大廠仍然會降低標準型記憶體投片量，積極轉進行動式記憶體方針仍然不變。

32Gb NAND Flash顆粒合約價將持續上升

　　針對 NAND Flash 市場走勢，市場調查機構 DRAMeXchange 早前發表四月上旬 NAND Flash 價格報告，指出由於供給減少，令到整體四月上旬 NAND Flash 合約價持續上升，其中 32Gb 的 MLC 與 TLC 顆粒價格上升，不過由於部份廠商已將產能轉往 64Gb 以上的高容量顆粒，高容量顆粒價格將呈現緩跌的格局。

　　據 DRAMeXchange 四月上旬 NAND Flash 價格報告指出， 64Gb MLC 顆粒維持平盤，而 32Gb 的 MLC 與 TLC 顆粒價格較三月下旬呈現 6-12% 升幅，主要原因是 NAND Flash 原廠把 64Gb 顆粒份額提升至 85% 或以上，令 32Gb 顆粒產出下跌，在供貨更為吃緊與產能減少的情況下，四月上旬 32Gb 顆粒合約價漲幅較為明顯。

　　現時， NAND Flash 原廠 20 nm 等級的產出比重在第二季正式超過 80% ，智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 所應用的 eMMC 和 SSD 單機搭載量也逐漸走高，逐漸將產能轉往高容量的 MLC 顆粒，減少低容量顆粒產能，因此 64Gb 顆粒作為主要考量，低容量顆粒的產能更將大幅滑落。

　　隨著上世代製程的低容量顆粒庫存逐漸減少，市場 32Gb 以下容量的顆粒供貨量下滑速度更為加快，即使第二季隨身碟與記憶卡需求力道不強，但在供應減少下預期 32Gb 顆粒合約價將會繼續保持上升走勢， 64Gb 顆粒合約價顯得相對平穩，並預期未來 64Gb 供需狀況轉為小幅供過於求，高容量顆粒價格將呈現緩跌的格局。

DRAM合約價再度出現跌勢

　　踏入 12 月份，市場調查機構針對剛過去的 11 月下旬發表 DRAM 合約價格總結報告，發現合約價在 11 月下旬再度呈現下跌走勢，其中 4GB 均價跌幅約 3.17% ， 2GB 均價正式跌破 9 美元價位，下跌約 2.78% 。預期明年 PC 出貨僅能維持平穩，因此 DRAM 年成長率將會持續下降，標準型記憶體價格將會待至下半年才回歸健康。

　　據報導指出，在剛過去的 11 月下旬中， DRAM 合約價格維持短暫持平後再度呈現下跌走勢，其中 4GB 合約均價為 15.25 美元，較上旬下跌約 3.17% ， 2GB 均價正式跌破 9 美元價位，達到低至 8.75 美元，跌幅約 2.78% ，但已比較年中時每月 1 美元甚至 2 美元的跌幅收斂。

　　另一方面，據了解，雖然 4GB 合約低價仍守在 15 美元水平，但預期第四季 PC 出貨量將會下跌， DRAM 廠庫存壓力不低，因此部份 DRAM 廠已採取特別交易來議定價格，令價格近月再度下跌，但由於「特別交易」附帶條件是大量取貨，庫存水位仍高的 PC-OEM 廠未必接受，使價格未有一下子大幅下挫。

　　由於未來總體經濟狀況仍未明朗，而傳統 PC 亦將繼續受智慧型手機與平板電腦市場擠壓，今年 PC 出貨再度下修至負 6.2% ，預期來年 PC 出貨預估僅能維持零成長， DRAM 廠已進一步啟動縮減資本支出機制，同時把製程轉換時程放緩，其中明年標準型記憶體產出量將跌破 32% ，標準型記憶體在市場規模逐漸縮小。

　　但隨著 DRAM 廠減產效應發酵與降低標準型記憶體產出，並積極轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，整體市場的底部價格正逐步浮現，加上全球 DRAM 市場將進入三強鼎立的寡佔，並分別由 Samsung 、 SK Hynix 和 Micron 集團佔去大部份市場份額，若各廠可維持產出平衡，市場將有機會回到供需平衡的狀況， TrendForce 預估標準型記憶體價格有機會於明年上半年緩步復甦，並於下半年回歸健康勢態。

　　在行動式記憶體方面，隨著智慧型手機與平板電腦熱賣，各 DRAM 大廠紛紛轉進行動式記憶體市場，其中韓系 DRAM 廠更達 70% 以上的佔有率；伺服器市場因雲端興起，預估明年單機伺服器記憶體搭載量將較去年成長 30% ，單條記憶體上 16GB 甚至 32GB 將成伺服器市場主流規格。

行動式記憶體合約價縮減跌幅

　　隨著近期不少智慧型手機將陸續推出市場，讓行動式記憶體合約價經過早前的跌幅後暫見漸回穩定，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 針對行動式記憶體作出的調查報告指出，第四季合約價格降幅較前季收斂，主流產品已由早前超過 10% 跌幅縮緊至 5% 左右。但預期明年首季由於進入淡季，廠商需要加快將 最先進製程如 2Xnm 優先使用在行動式記憶體上，以維持獲利。

據報告指出，行動式記憶體第四季合約價格整體降幅較第三季縮減，其中 LPDDR2 價格降幅約在 5 ~ 10% 的之間， 4+2 與 4+4 的 MCP 產品在第四季供貨吃緊下，合約價格降幅明顯縮小至 5% ， eMCP 則由於除 Samsung 和 SK Hynix 外，其餘廠商未有穩定大量供貨， Samsung 為了加強推銷，因此價格降幅較大。

隨著進入傳統旺季， iPhone5 、 Galaxy S3 、 Galaxy Note2 或 Google Nexus4 的推出均能帶動智慧型手機的出貨量，在需求增溫下，預期第四季全球智慧型手機出貨量可達 1.96 億台，較第三季成長 9.3% ，並協助行動式記憶體價格跌幅收斂。同時，在第四季起，手機廠商在主晶片到貨後開始為週邊零組件進行備貨，令行動式記憶體產品供應較為緊張，因此讓低容量的行動式記憶體價格降幅有限。

展望明年首季，隨著需求端將會進入淡季環境下，為進一步減低 DRAM 虧損狀況，一線 DRAM 廠趕急將標準型記憶體產能轉進行動式記憶體與伺服器記憶體中，在技術轉進上將最先進製程如 2Xnm 優先使用在行動式記憶體上。預期隨著 Intel 新平台 Haswell 支持 LPDDR3 ，行動式記憶體進入電腦領域，預期將佔全球記憶體產出量 30% ，隨著經濟規模擴大與先進製程持續轉進，技術較為成熟的廠商將可維持獲利表現。

十月份DRAM合約價格再度下跌

　　市場調查機構 DRAMeXchange 30 日發表最新 DRAM 市況報告，指出由於全球 DRAM 市場持續供過於求，加上 PC 整體出貨量未如理想，十月份 4GB 記憶體模組合約價跌破 16 美元，而且走勢將持續往 15 美元關卡價位前進，價格已跌近現金成本，令廠商進一步面臨成本結構考驗，減產之勢已不能怠慢。

　　隨著台系廠商茂德已正式退出市場，瑞晶和力晶已先後於 8 、 9 月開始啟動減產，南科與華亞科亦正式宣佈於 10 起減產 20% ，加上日系廠商 Elpida 也於 8 月啟動減產機制，是次減少主要以標準型記憶體為主，另一方面雖然韓系廠商暫未有減產劃，但調整生產比重已減少標準型 DRAM 的產出量而轉至毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，因此 10 月份全球 DRAM 產能已減少至 1050k ，從今年高點的 1130K 計算減產約 80K 片，幅度約 7.1% ，將有助於標準型 DRAM 價格的止跌反彈。

　　目前， Samsung 早已把標準型記憶體產出比重降至約 30% ，明年目標為調整至 25% 間， SK Hynix 雖然今年標準型記憶體產出仍佔整體產出約 50% ，但明年已計劃將持續下修至 40% 以下，進一步縮減標準型記憶體比例。同時， Micron 和 Elpida 整併可望於明年上半年完成，按照其原始規劃，未來廣島廠將單純以生產行動式記憶體為主，標準型記憶體的由子公司瑞晶負責生產，華亞科主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產出規模也逐漸縮小。

　　此外，台系廠商力晶將於今年度逐步淡出記憶體生產，力圖轉型至代工為主的業務型態，其標準型記憶體僅在 P3 生產，並且自九月起投片規模僅剩原產能一半，預期未來將持續縮減產能。

　　供應方面標準型記憶體產出規模逾 50% 的市況已不復見，而且預期明年更下調至僅 35% ，由於減產幅度預計進一步擴大，明年 DRAM 市場僅 21% 的成長率將會創出自 2009 年金融風暴後新低，因此預期廠商將會大幅降低元產出以避免大規模供過於求。

　　隨著 DRAM 價格空間已至跌無可跌狀況，短時間內現貨價格有機會帶動一波價格的上漲走勢，目前各 DRAM 廠已有降低投資幅度、放慢製程轉進時程的共識，冀望於 2013 年的首季過後， DRAM 供需狀態逐步回到健康水位，讓價格可回復提升以及幫助總產值復甦。

九月上旬NAND Flash合約價平穩

　　雖然面對市場旺季不旺影響而導致交易清淡，但隨著智慧型手機、平板電腦等新產品備貨需求提升，使得 NAND Flash 價格保持穩定，繼八月份 NAND Flash 合約價持續走穩後，據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 NAND Flash 價格走勢報導指出，九月上旬 NAND Flash 合約均價依然持平，甚至出現小漲格局。

　　據報告指出，雖然傳統銷售旺季即將來臨，但目前全球經濟仍處於不穩定狀態， NAND Flash 買方對傳統銷售旺季持保守看法，為了減低風險，買方在庫存管理方面採取謹慎態度，使 NAND Flash 需求未見明顯提升。

　　同時，在隨身碟市場方面，由於 NAND Flash 廠商供貨調節策略，下游生產隨身碟的廠商無法取得穩定且具規模的貨源，出貨動能與產品組合受到大幅影響，加上隨身碟廠商原先預期 USB 3.0 產品可望成為下半年刺激市場銷售的助力，但隨著 Ivy Bridge 延後上市以及 Windows 8 所導致的 PC 買氣遞延，使得 USB 3.0 產品需求不如原先預期，因此整體 NAND Flash 成長量不如預期。

　　尤幸智慧型手機、平板電腦等新產品備貨 需求提升，加上 SSD 需求量亦穩定攀升，令 NAND Flash 需求量得以維持。據 DRAMeXchange 預估， NAND Flash 合約價在近期仍將維持平穩狀態，但隨身碟市場僅會較上季小幅成長，呈現出旺季不旺的情況，而第四季價格走勢，則需將取決於年底銷售旺季表現而定。

DRAM六月上旬合約價終於能如期開出

早前受到買賣雙方在 DRAM 價格商議爭持，經過連續兩個月也於接近月末才開出合約價後，六月上旬合約價終於能如期開出，雖然兩家韓系大廠仍試圖提高報價，但在季底壓力下，最終仍只能與 PC-OEM 廠商達成持平價格合約。預期六月下旬甚至七月合約價格仍有機會持平或出現小幅下跌，但隨著第三季 Windows8 正式上市，加上新款 Ultrabook 機種推出，可望帶動 DRAM 價格上漲。

由於早前買方為減低虧損而力圖提升 DRAM 價格，但賣方則希望以更低成本備貨，雙方議價爭持不下，令連續兩個月也於接近月末才開出合約價，不過六月上旬合約價格終於能如期開出，其中 4GB 均價為 21.25 美元， 2GB 均價為 11.25 美元，走勢持平。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，隨著 DRAM 產業低迷已久，市場均期盼記憶體價格能夠從低處回升，但由於 PC-OEM 對於全球景氣的高度不確定性因素影響而在備貨庫存上顯得甚為謹慎，因此六月上旬買氣仍然軟弱，第二季終端市場未能牽動 PC 出貨，而 PC-OEM 廠 DRAM 庫存水位已拉至 5-6 週甚至高達 2-3 個月，因此預期六月下旬甚至七月合約價格走勢攀升可能性極低。

其中，韓國兩大廠 Samsung 和 Hynix 於六月份雖然與主要 PC-OEM 價格協商較前兩個月積極，但價格與上半旬相較並無漲幅，尤幸兩家廠商在產能比重上早已轉向非 PC-DRAM ，因此即使 PC-OEM 廠商備貨並不積極，但仍沒有降價求售，但反觀其餘 DRAM 廠成交狀況並不明朗，因此預期六月下旬合約價維持持平甚至於下跌的可能性高。

但隨著後市將期待 Windows8 於第三季正式上市，加上配合多家廠商將於下半年陸續推出旗下新款 Ultrabook 機種，對下半年帶動 DRAM 價格上漲仍有一定契機。