Samsung推出全新速4GB LPDDR3 DRAM

　　Samsung 為針對手持式行動裝置市場，提供高速低功耗應用，宣佈推出業界第一款超高速 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，採用 20nm 製程，聲稱可媲美個人電腦中使用的標準型 DRAM 的性能水平，可提升超過 30% 效能表現，同時減低 20% 功耗。

　　全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒採用 20nm 製程生產，數據傳輸速度高達 2,133 Mbps ，比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒提供的 800Mbps ，其數據傳輸速度為兩倍以上，一秒同時傳輸容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片，實現流暢而且無縫顯示全高清視頻，特別適用於現時 5 吋或更大尺寸屏幕的手持式行動裝置使用。

除了擁有比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒更高速的傳輸效能外，全新 20nm 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒也擁有更低功耗的表示，如以 30nm LPDDR3 顆粒比較，其功耗可減少約 20% ，令手持式行動裝置電池續航力可以更加耐久。

　　此外，由於採用 20nm 製程關係，令記憶體顆粒高度繼續縮減，據 Samsung 表示，採用全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，設備製造商可以達成單一封裝高度僅 0.8mm 的封裝下，把 4 個 Samsung 新晶片組成一個 2GB 容量的單一封裝。

　　據早前市場調查機構 Gartner 指出，預測 DRAM 市場在 2013 年增長達到 29.6 億美元，當中超過 10 億美元的銷售額為行動式記憶體，佔整體 DRAM 市場約 35% 。針對目前情況，據 Samsung 指出，預期今年稍後時間會增加生產 20nm 行動式 DRAM ，以鞏固該市場的競爭力。