Samsung推出全新速4GB LPDDR3 DRAM

　　Samsung 為針對手持式行動裝置市場，提供高速低功耗應用，宣佈推出業界第一款超高速 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，採用 20nm 製程，聲稱可媲美個人電腦中使用的標準型 DRAM 的性能水平，可提升超過 30% 效能表現，同時減低 20% 功耗。

　　全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒採用 20nm 製程生產，數據傳輸速度高達 2,133 Mbps ，比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒提供的 800Mbps ，其數據傳輸速度為兩倍以上，一秒同時傳輸容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片，實現流暢而且無縫顯示全高清視頻，特別適用於現時 5 吋或更大尺寸屏幕的手持式行動裝置使用。

除了擁有比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒更高速的傳輸效能外，全新 20nm 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒也擁有更低功耗的表示，如以 30nm LPDDR3 顆粒比較，其功耗可減少約 20% ，令手持式行動裝置電池續航力可以更加耐久。

　　此外，由於採用 20nm 製程關係，令記憶體顆粒高度繼續縮減，據 Samsung 表示，採用全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，設備製造商可以達成單一封裝高度僅 0.8mm 的封裝下，把 4 個 Samsung 新晶片組成一個 2GB 容量的單一封裝。

　　據早前市場調查機構 Gartner 指出，預測 DRAM 市場在 2013 年增長達到 29.6 億美元，當中超過 10 億美元的銷售額為行動式記憶體，佔整體 DRAM 市場約 35% 。針對目前情況，據 Samsung 指出，預期今年稍後時間會增加生產 20nm 行動式 DRAM ，以鞏固該市場的競爭力。

預期4GB模組將回升至20美元水平

　　市場調查機構 DRAMeXchange 6 日發表針對 2012 年第四季標準型記憶體結算報告，指出由於一線 DRAM 大廠積極轉進毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，並降低標準型記憶體的產出，在供應減少下，第四季 DRAM 市場價格出現漲價走勢，與上季相較成長近 7% ，各 DRAM 廠的營收普遍呈現上漲格局。同時， 2013 年 DRAM 模組價格得到持續提升，預期全球 PC DRAM 的價格有機會回到 20 美元水位，預期短期內超低價 DRAM 模組在市場上已成過去。

　　其中，據報告顯示，第四季 DDR3 1600Mhz 2Gb 顆粒價格從 0.82 美元上漲至 1.05 美元，漲幅逼近 30% ，合約市場方面，在一線 PC-OEM 廠庫存水位偏低下， DRAM 廠亦在第四季逐步將合約價調升，目前為止，較大幅度的升幅將會於今年首季便可看到。

　　而在 2013 年 1 月下旬方面，一線 DRAM 大廠標準型記憶體出貨持續短少， PC-OEM 大廠目前首要任務需要穩定貨源，而減低價格考量的因素，讓得 DRAM 模組價格得到持續提升機會。其中， 1 月下旬 4GB 模組價格最高達到 18 美元，漲幅逼近 3% ，整月份的 4GB 均價反彈 11.11% 。

　　同 時，分析亦觀察到 PC-OEM 大廠為了穩定後續的供貨貨源，轉而向模組廠尋求供給的比例也逐步升高，由於 Samsung 和 SK Hynix 已明確表示在沒有獲利的情況之下，將大幅減少後續標準型記憶體供貨的數量， Eplida 和 Micron 合併後將轉換產品配置，台系廠更是逐步的退出 DRAM 產業，導致供貨選擇的來源大幅縮減，使得 PC-OEM 廠在採購上出現難度，預期價格將會持續提升。

　　踏入 2013 年首季， PC DRAM 合約價一月份上漲幅度已超過 10% ，全球 PC DRAM 的價格有機會回到 20 美元水位之上，但單機搭載容量的成長激增將不再復見雖然 2013 年業界皆普遍看淡對 PC 出貨量的預估，在 DRAM 售價回升的影響下，單機搭載容量可能會持續壓抑。

　　另一方面，綜合全球 DRAM 廠自有品牌記憶體營收排名觀察，目前以 Samsung 和 SK Hynix 仍然佔據整體市場約 67% 市佔率，較上季的 64.2% 繼續往上攀升，韓系廠商仍積極將行動式記憶體比重持續調整，並佔韓系廠商總產出比例達 28% 。

　　日系廠 Eplida 目前佔得 14.1% 整體市佔率成為市場第三廠商，除了行動式記憶體比重提昇外，現貨 DRAM 價格的大幅成長亦是讓營收躍進的主要關鍵。 Micron 半導體市佔約 10.5% ，預期當兩者正式併合後，其整體市佔佔有率將會直逼韓系廠商 SK Hynix ，形成三強鼎立。