Samsung 宣佈年明年底10nm 芯片工藝制程開始量產

　　Samsung 日前宣佈將於明年底正式開始量產 10nm 工藝制程的芯片，相比其他同業界更早一步突破 14nm ，進入更精密的制程生產工序，大大強化處理器性能及減低處理器封裝尺吋及功耗等，提前將下一代流動處理器定下指標。

　　Samsung 最新發佈採用 10nm 工藝制程的芯片將繼續沿用 Fin-Shaped Field-Effect Transistors (FinFET) 技術。現時市場上仍然是 14nm 及 16 nm 工藝制程的競賽， TSMC 主力提供市場 16nm 芯片 ，其客戶 Apple 亦已下大量訂單為下一代 A9 處理器為好準備。

　　另外，為了對抗 TSMC 16nm 工藝制程芯片市佔率高達一半以上， Samsung 早前推出的 14nm 芯片 Exynos 7420 已裝置於旗艦機 Samsung Galaxy S6  及 S6 edge 上，所提供的 Exynos 效能比上代大大提升，但 Samsung 仍未停下腳步，與 GLOBALFOUNDRIES 進一步合作，全力於雙方廠房導入 14nm 工藝制程技術。

　　同時， Inter 現時 BoardWell 系列及下代 Skylake 亦採用 14nm 工藝制程，據聞，下一代 Intel 處理器亦會進入 10 nm 工藝制程，相對 Samsung 早一季發表，正式進入 10nm 工藝制程時代，微架構進一步進入另一個天地。

Samsung 128Gb 3-bit MLC NAND flash

繼去年 11 月開始生產 10 nm-class 64Gb MLC NAND Flash 記憶體顆粒後， Samsung 日前宣佈，將大規模生產採用 10nm 製程的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒，除了提供高速傳輸之外，更能進一步提升儲存產品的容量，以應付嵌入式 NAND 存儲和 SSD 等未來高密度存取需求。

據 Samsung 表示，是次發佈的 128Gb NAND flash 快閃記憶體顆粒基於 3-bit 和 10 nm 製程而成，擁有目前業界最高的密度，基於 DDR2.0 介面，支援最高 400Mbps 資料傳輸速度。

隨著現時針對高畫質影片儲存需要，低容量記憶卡已漸不敷應用，透過全新的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒， Samsung 將會擴大 128GB 容量記憶卡，並可儲存多達 16 個容量達 8GB 的高畫質影像檔案。同時，也可針對電腦系統，提供容量超越 500GB 或以上的 SSD 產品。

另一方面，全新的 128GB 的 3bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒的生產力較 20nm- class 64Gb MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒提升 2 倍。