Samsung 3bit 3D V-NAND 記憶體正式大規模量產

　　Samsung 年中宣佈推出 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶後，針對固態硬碟 Samsung  9 日宣布開始量產業界首款 Samsung 3bit V-NAND 記憶體，其效能大幅提升，而且晶圓生產效率同時提高，相應正式量產後，其應用範疇將進一步應用到個人電腦層面。

　　Samsung 3bit V-NAND 快閃記憶體基於 Samsung 第二代 V-NAND 技術研發，採用 3D Charge Trap Flash (3D CTF) 技術，電荷被暫時放置的絶源的快閃記憶體中，採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾，並逐層向上埋疊達 10 億組存儲單元，以 3D 結構垂堆疊 32 層組，其單一芯片的儲存容量可提供 128 Gb 容量，容量及效能顯著提高。

　　同時， 3bit V-NAND 快閃記憶體每個存儲單元為 3bit ，相對 Samsung 10nm 3bit 平面快閃記憶體， 3D CTF 技術令快閃記憶體令晶圓生產率大幅提升一倍以上。

　　而且透過 3D CTF 技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力，夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，也可提升可靠性表現。