行動式記憶預期2013 年將更進一步提升至 24%

　　隨著智慧型手機與平板電腦等行動裝置出貨持續成長，因而帶動行動式記憶需求，記憶體產業中的總產出比重也從 2010 年的 11% 逐年提升，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的市況報告指出，預期 2012 年行動式記憶體的產出比重將提升 21% ， 2013 年將更進一步提升至 24% ，展望 2013 年 LPDDR2 出貨量可達行動式記憶體整體出貨量的 70% 或以上，同時 LPDDR3 將於 2013 年登場，並開始應用在高階產品之中。

　　據 DRAMeXchange 表示，隨著智慧型手機與平板電腦興起，行動式記憶需求持續提升， LPDDR2 價格已追平 LPDDR1 ，加上 SoC 規格不斷提升，主流智慧型手機將以雙核與四核心為主，因此需要搭配 LPDDR2 以上的規格才能發揮最佳的運算效能，令 LPDDR2 需求大增，預期至明年 LPDDR2 將佔整體行動式記憶體產量的 70% 或以上，同時 LPDDR1 的需求將會逐步下滑。

　　另一方面， 2013 年 LPDDR3 也會嶄露頭角，不過據分析指出高階的智慧型手機、平板電腦及 Ultrabook 機種雖然可導入 LPDDR3 作為記憶體配備，但僅依賴高階機種將未會為 LPDDR3 提供強大需求動力，而且 LPDDR3 與 LPDDR2 將有一定差距，因此 2013 年 LPDDR2 仍然會穩居行動式記憶體市場主流，而 LPDDR3 要取代 LPDDR2 成主流最快也要 2014 年。

　　目前市場上提供 LPDDR2 記憶體顆粒的製造商主要有四家，包括業界龍頭 Samsung ，其他分別為 SK Hynix 、 Elpida 和 Micron ，其中 Samsung 行動式記憶體產品製程除了 LPDDR1 以外，其餘均已轉進至 35nm 製程， SK Hynix 主流製程則為 38nm ，而 Elpida 和 Micron 在 LPDDR2 製程中均採用 30nm 各家廠商在單顆粒產出的效率與技術不相伯仲，而且對於 2x nm 製程進度較為保守，預期 2013 年上半年 3x nm 仍然會是主流生產技術，而上述四家主要行動式記憶體供應商的 LPDDR2 mono die 在 2013 年主流的單位容量顆粒應是 4Gb ，成品容量的搭配上預計也大同小異。

　　綜合目前記憶體市場勢態發展，據 DRAMeXchange 指出， 2013 年的行動式記憶體市場雖然有智慧型手機與各種行動裝置帶來穩定的成長，但在標準型記憶體的產能大舉轉向至行動式記憶體的情況下，行動式記憶體產能將會大增，也對供需平衡造成一定考驗，會否出現供過於求情況將於下年每季行動式記憶體的價格降幅上反映出來，在目前技術上差距不大下，獲利關鍵在於精確掌握生產成本、提高生產良率以及善用多樣化的產品組合，預期行動式記憶體市場競爭十分激烈。